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根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2020-2024年硅基激光器行業(yè)深度市場調(diào)研及投資策略建議報(bào)告 》顯示，2015-2019年，全球工業(yè)激光器市場年均復(fù)合增長率達(dá)到18%，2019年，市場規(guī)模達(dá)到52億美元，增長勢頭強(qiáng)勁。預(yù)計(jì)2020-2024年，全球硅光子市場將以40%左右的增速飛速增長，到2024年市場規(guī)模將達(dá)到28億美元左右。全球工業(yè)激光器與硅光子市場均保持強(qiáng)勁增長勢頭，為硅基激光器行業(yè)發(fā)展帶來廣闊空間。 
 硅基激光器技術(shù)主要有三個(gè)發(fā)展方向，一是通過光柵耦合器將激光器耦合進(jìn)硅波導(dǎo)中，此技術(shù)需要大功率激光器芯片；二是將III-V族的DFB芯片倒裝焊于SOI晶圓上，通過端面耦合進(jìn)硅波導(dǎo)中，此技術(shù)對倒裝焊設(shè)備精度要求高；三是將III-V族發(fā)光材料鍵合在SOI晶圓上，制作成激光器耦合進(jìn)硅波導(dǎo)中。在全球硅基激光器市場中，美國處于技術(shù)領(lǐng)先地位。
 我國光通信產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，為保障國內(nèi)光通信產(chǎn)業(yè)發(fā)展，打破核心器件市場被國外企業(yè)壟斷的格局，實(shí)現(xiàn)硅基激光器自主研發(fā)生產(chǎn)勢在必行。在此背景下，我國在硅基激光器研究領(lǐng)域的投入不斷加大。2018年，中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室與英國倫敦大學(xué)合作，研發(fā)出國際首例硅基外延生長電抽運(yùn)室溫連續(xù)工作分布反饋式（DFB）激光器陣列芯片，對我國硅基激光器行業(yè)發(fā)展具有重要意義。
 隨著光通信技術(shù)進(jìn)步，其功能集成度不斷提升，元器件小型化、超薄化、高兼容化成為趨勢。相較于傳統(tǒng)激光器發(fā)光材料，硅材料與CMOS兼容性好，并可利用納米技術(shù)制造元器件，可以滿足小體積要求，有利于功能集成。同時(shí)，硅材料還具有光學(xué)損耗低、波導(dǎo)性能優(yōu)、機(jī)械性能好、抗輻射性能佳等優(yōu)良特性。此外，硅資源全球儲量大，原料來源豐富，成本較低，更加堅(jiān)信硅基激光器在接下來的發(fā)展中優(yōu)勢很大。硅基激光器是激光器的重要發(fā)展方向，同時(shí)也是硅光子技術(shù)的核心器件，未來具有廣闊發(fā)展前景。
 （以上內(nèi)容參考：新思界網(wǎng))

  
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